DDR4 от Samsung

«Первой DDR4 выпустила компания Samsung»

Компания Samsung Electronics объявила о завершении разработки первого в индустрии модуля DDR4 DRAM, изготовленного с применением техпроцесса 30-нанометрового класса (производитель не сообщает точного значения использованного им допуска, лишь задает его границы от 30 до 39 нм).

По заявлениям производителя, его детище изготовлено по 30-нм техпроцессу, обладает объёмом 2 Гбайт, функционирует на частоте 2133 МГц и характеризуется напряжением питания 1,2 В. При этом особо отмечается, что в изделии реализована прогрессивная технология Pseudo Open Drain (POD) Technology, благодаря которой новинка потребляет на 40% меньше энергии, чем модули памяти DDR3 с напряжением питания 1,5 В.

Кроме того, стандарт DDR4 подразумевает возможность работы модулей памяти на частоте до 4266 МГц. Новые модули памяти Samsung стандарта DDR4 при использовании существующих технологий будут способны работать в частотном диапазоне до 3200 МГц.

Отмечается, что компания Samsung уже начала отгрузку новых модулей памяти UDIMM (unbuffered dual in-line memory modules) стандарта DDR4 объемом 2 ГБ производителям контроллеров для тестирования. Планируется, что стандартизация памяти DDR4 будет завершена во второй половине 2011 года.

Смотрите полезное по теме:

 
 
Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Это не спам.

Хостинг для Wordpress сайтов